用TH1992快速测试半导体器件I/V特性
研究背景：电子测量仪器作为基础科研工具，是国家科研自主可控的重要环节。在半导体器件、超导材料和光电器件等测试领域中，为了更全面地检测器件特性，提升整个测试系统的效率，往往对供给电源和测量同步性方面有更严苛的要求。
TH1991/TH1992系列精密源/测量单元可输出高达±210V直流电压、±3A直流电流以及±10.5A脉冲电流、最小10fA/100nV的电源和测量分辨率，支持高速采样，可生成任意波形。
TH1992为双通道版本，相较于单通道版本，TH1992支持双通道同步输出及测量，对于3端器件的测试更友好，可极大提升测试效率。
一、二极管I/V特性
晶体二极管也称为半导体二极管，简称二极管（Diode）。内部由一块P型半导体和N型半导体经特殊工艺加工，在其接触面上形成一个PN结。外部有两个电极，分别称为正极（P型区一侧）和负极（N型区一侧），使用时不能将正负极接反。
因此，二极管具有单向导电性，可用于整流、检波、稳压等电路中。用来产生、控制、接收、变换、进行能量转换等。
衡量二极管特性和核心是二极管的伏安特性曲线（简称I/V特性）
二极管分硅管和锗管
材料类型 | 死区电压 | 正向导通电压 |
硅（Si） | 0.5V | 0.6-0.8V |
锗（Ge） | 0.1V | 0.2-0.3V |
如何测试二极管的I/V特性？以常见的1N4148保护二极管为例
TH199X方案VS传统方案，区别在哪儿?
只需8步，可以将二极管正反向IV曲线全部测出，全程触摸屏操作，无需连接电脑上位机，曲线可直接截屏及生成csv表格，快捷简单。
因此，使用TH199X系列精密源/测量单元（SMU）测试更精确、更快捷，适合从产线到实验室各种场合。
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