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MOSFET器件CV特性测试分析

寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。在高频情况下，不管是电阻，电容，电感，还是二极管，三极管，MOS管所产生的等效电容会增大，不能忽略。MOS管寄生电容是动态参数，直接影响到其开关性能，Ciss输入电容、Coss输出电容、Crss反向传输电容、Rg栅极串联等效电阻是功率半导体重要的寄生参数，在研发和制造过程中都需要进行测量。

具体方案

测试要求：

Ciss输入电容 :将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容

Coss输出电容：将栅源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容就是输出电容

Crss反向传输电容：在源极接地的情况下，测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容

Rg :测试栅极与源极之间的串联等效电阻

目前市场上比较常见的半导体CV特性测试方案，需要至少一台电桥、一台电源、一个直流偏置夹具、一套矩阵开关和一台上位机以及相关控制软件组成，搭建和调试过程非常繁琐，且测试效果不稳定。

TH510系列半导体C-V特性分析仪是球盟会电子针对半导体材料及器件生产与研发的分析仪器，采用了一体化的设计，四档参数同时显示，只需一台仪器即可满足生产线快速分选、自动化集成测试及满足实验室研发及分析。TH510系列内置1500V高压源，测试精度高；可扩展至6通道，对于IGBT行业的模块化测试需求来说非常重要。