产品详情_TH521-02-20_半导体参数分析仪_耐压测试仪_直流电子负载_数字功率计_lcr电桥_常州球盟会电子股份有限公司


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TH521-02-20 半导体参数分析仪
性能特点

TH521 的常规特性

高达 3.5kV/1800A的宽广工作范围

-50 °C +250 °C 的全自动快速热测试

自动创建功率器件(半导体和元器件)的技术资料

自动记录功能可防止数据丢失

AI辅助编写python测试脚本


TH521 IV 套件特性

可对封装和晶圆上器件进行全自动快速 IV 测量 Ron、BV、泄漏、Vth、Vsat 等)

IV 脉冲宽度(最窄 10 μs)可防止器件自发热,更准确地测试器件实 际性能

示波器视图(时域视图)可以监测实际电压/电流脉冲波形,以便进行准 确测量

配置可以灵活扩展,添加 CV Qg,将电流范围从20 A扩展到 200A、 600 A 1800 A


TH521 套件的完整特性

IV 套件的全部特性

测量封装器件在 3.5 kV 时的晶体管输入、输出和反向传输电容 

Ciss、Coss、Crss、Cies、Coes、Cres)以及栅极电阻(Rg

测量封装器件的栅极电荷(Qg)曲线

计算功率损耗(传导、驱动和开关损耗)

简介

TH521-02-20

IV: 200V/20A


TH521-35-20

IV: 3500V/20A

TH521-02-20C

IV: 200V/20A, CV: 10MHz, Qg


TH521-35-20C

IV: 3500V/20A, CV: 10MHz, Qg

TH521-02-200

IV: 200V/200A


TH521-35-200

IV: 3500V/200A

TH521-02-200C

IV: 200V/200A, CV: 10MHz, Qg


TH521-35-200C

IV: 3500V/200A, CV: 10MHz, Qg

TH521-02-600

IV: 200V/600A


TH521-35-600

IV: 3500V/600A

TH521-02-600C

IV: 200V/600A, CV: 10MHz, Qg


TH521-35-600C

IV: 3500V/600A, CV: 10MHz, Qg

TH521-02-1800

IV: 200V/1800A


TH521-35-1800

IV: 3500V/1800A

TH521-02-1800C

IV: 200V/1800A, CV: 10MHz, Qg


TH521-35-1800C

IV: 3500V/1800A, CV: 10MHz, Qg

TH521系列半导体参数分析仪是一款用于电路设计的综合解决方案,可帮助电力电子电路设计人员选择适合自身应用的功率器件,让其电力电子产品发挥最大价值。它可以评测器件在不同工作条件下的所有相关参数,包括IV参数(击穿电压和导通电阻)、三端FET电容、栅极电荷和功率损耗。用于电路设计的TH521系列半导体参数分析仪具有完整的曲线追踪仪功能以及其他功能。


应用

半导体功率器件 

二极管、三极管、MOSFET、IGBT、晶闸管、集成电路、光电子芯片等寄生电容测试、C-V特性分析

半导体材料 

晶圆切割、C-V特性分析

液晶材料 

弹性常数分析、液晶切割

电容元件 

电容器C-V特性测试及分析,电容式传感器测试分析

技术参数

MCSMU

电压范围、分辨率和精度

电压量程

输出/测量分辨率

输出/测量精度(% + mV + mV

最大电流

200mV

100nV

±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05)

1A

2V

1μV

±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)

1A

20V

10μV

±(0.06 + 3 + Io x 5)

1A

40V

40μV

±(0.06 + 3 + Io x 10)

1A


电流范围、分辨率和精度

输出/测量分辨率

输出/测量精度(%+A+A

最高电压

10μA

10pA

±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10)

30V

100μA

100pA

±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9)

30V

1mA

1nA

±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8)

30V

10mA

10nA

±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7)

30V

100mA

100nA

±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6)

30V

1A

1uA

±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5)

30V


典型分辨率

最大电压

±30V

最小电流

10pA

脉冲最大占空比

5%(峰值超过100mA

脉冲最小宽度

10μs

脉冲最大宽度

100ms(峰值超过100mA

直流最大电流

±100mA

脉冲最大峰值

±1A

脉冲最大基值

±50mA(峰值超过100mA

HCSMU


电压范围、分辨率和精度

电压量程

输出/测量分辨率

输出/测量精度(% + mV + mV

最大电流

100mV

100nV

±(0.06 + 0.6 + Io x 0.05)

20A

1V

1μV

±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)

20A

10V

10μV

±(0.06 + 3 + Io x 5)

20A

40V

40μV

±(0.06 + 3 + Io x 10)

1A


电流范围、分辨率和精度

输出/测量分辨率

输出/测量精度(%+A+A

最高电压

10μA

10pA

±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10)

40V

100μA

100pA

±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9)

40V

1mA

1nA

±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8)

40V

10mA

10nA

±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7)

40V

100mA

100nA

±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6)

40V

1A

1μA

±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5)

40V

20A

20μA

±(0.4 + 2E-3+Vo x 1E-4)

20V


典型分辨率

最大电压

±40V

最小电流

10pA

脉冲最大占空比

1%(峰值超过1A

脉冲最小宽度

50μs

脉冲最大宽度

1ms(峰值超过1A

直流最大电流

±100mA

脉冲最大峰值

±20A

脉冲最大基值

±100mA(峰值超过1A

MPSMU


电压范围、分辨率和精度

电压量程

输出/测量分辨率

输出/测量精度(% + mV + mV

最大电流

100mV

100nV

±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05)

100mA

1V

1μV

±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)

100mA

10V

10μV

±(0.06 + 3 + Io x 5)

100mA

100V

100μV

±(0.012 + 2.5 + Io x 10)

20mA(≥40V)

50mA(≤40V)


电流范围、分辨率和精度

输出/测量分辨率

输出/测量精度(%+A+A

最高电压

1nA

1fA

±(0.1 + 2E-13 + Vo x 1E-15)

100V

10nA

10fA

±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14)

100V

100nA

100fA

±(0.05 + 2E-11 + Vo x 1E-13)

100V

1μA

1pA

±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12)

100V

10μA

10pA

±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11)

100V

100μA

100pA

±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10)

100V

1mA

1nA

±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9)

100V

10mA

10nA

±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8)

100V

100mA

100nA

±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7)

20V


典型分辨率

最大电压

±100V

最小电流

1fA

HPSMU


电压范围、分辨率和精度

电压量程

输出/测量分辨率

输出/测量精度(% + mV + mV

最大电流

200mV

100nV

±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05)

1A

2V

1μV

±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)

1A

20V

10μV

±(0.06 + 3 + Io x 5)

1A

200V

100μV

±(0.012 + 2.5 + Io x 10)

50mA


电流范围、分辨率和精度

输出/测量分辨率

输出/测量精度(%+A+A

最高电压

1nA

1fA

±(0.1 + 2E-13 + Vo x 1E-15)

200V

10nA

10fA

±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14)

200V

100nA

100fA

±(0.05 + 2E-11 + Vo x 1E-13)

200V

1μA

1pA

±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12)

200V

10μA

10pA

±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11)

200V

100μA

100pA

±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10)

200V

1mA

1nA

±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9)

200V

10mA

10nA

±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8)

200V

100mA

100nA

±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7)

200V

1A

1μA

±(0.4 + 15E-5 + Vo x 1E-6)

200V


典型分辨率

最大电压

±200V

最小电流

1fA

HVSMU


电压范围、分辨率和精度

电压量程

输出/测量分辨率

输出/测量精度±(%+mV)

最大电流

200V

200uV

±(0.03+40)

10mA

500V

500uV

±(0.03+100)

10mA

1500V

1.5mV

±(0.03+300)

10mA

3500V

3.5mV

±(0.03+600)

5mA





电流范围、分辨率和精度

输出/测量分辨率

输出/测量精度(%+A+A

最高电压

10nA

10fA

±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12)

3500V

1μA

1pA

±(0.05 + 1E-9 + Vo x 8E-12)

3500V

100μA

100pA

±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11)

3500V

10mA

10nA

±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9)

1750V


典型分辨率

最大电压

±3500V

最小电流

10fA

UHCU


电压范围、分辨率和精度

电压量程

输出/测量分辨率

输出/测量精度±(%+mV)

60V

100μV

±(0.2+10)


电流范围、分辨率和精度

输出/测量分辨率

输出/测量精度(%+A+A

200A

200μA

±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo)

600A

500μA

±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo)

1800A

2mA

±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo)


脉冲最大占空比

0.4%600A量程);0.1%1800A量程

脉冲最小宽度

10μs

脉冲最大宽度

1ms600A量程);500μs1800A量程

脉冲最大峰值

200A、600A、1800A量程

MFCMU


 

频率

频率范围

1kHz~10MHz

最小频率分辨率

1mHz

频率精度

±0.05%

 

AC电平

电平范围

0~250mV

分辨率

0.1mVrms

精度

±(10%*设定值+2mV)

 

DC偏置

范围

0~±25V

分辨率

1mV

准确度

1%*设定电压+8mV

输出阻抗

100Ω

测试端配置

四端对



 

测试时间

快速2.5ms中速90ms慢速220ms

电容

显示范围

0.00001pF~9.99999F

最高准确度

0.05%


附件
标配
配件名称型号
选配
配件名称型号
资料下载
资料名称下载链接
规格书 下载
TH521系列半导体参数分析仪_技术资料_2025.3.19 下载
TH521系列半导体参数分析仪_规格书_2025.3.24 下载
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